三星成功研发新一代5G基站核心芯片

三星电子22日宣布成功研发出新一代5G毫米波（mmWave）基站无线通信核心芯片（RFIC），进一步提高无线通信性能。

三星电子曾于2017年研发出高水准、低耗能的第一代无线通信基站核心芯片。此次推出的新一代无线通信核心芯片对所支持频段与通讯性能进行了优化， 领先行业标准的低能耗特性也是其一大亮点。新一代芯片带宽从最初的800MHz提升至1.4GHz，增幅达75%。并对噪音与线性特征进行了改善，同时还提高了接收的灵敏度，进而提升数据最大传送率，扩大服务覆盖范围。新一代5G基站核心芯片尺寸缩小36%，基站尺寸也可随之减小。

此次推出的新型无线通信核心芯片可用于28GHz频段和39GHz频段5G系统，三星将该芯片主要市场定位在美国及韩国，这些国家使用该频段作为5G商用频段。三星电子将于今年第二季度起对新一代核心芯片进行大量生产。公司还计划在今年内针对欧洲及美国地区使用的24GHz和47GHz频段进行芯片研发。
 
与新一代核心芯片共同研发成功的还有数模转换芯片（DAFE）。数模转换芯片可用于5G极宽频谱通信时，将数字信号与模拟信号进行相互转换。芯片可适用于5G基站，产品尺寸、重量、能耗量均可减少25%左右。而基站的小型化与轻量化有助于运营商减少网络投资及运营成本，使之能为更多地区提供快捷的5G服务。
 
三星电子网络事业部长田敬薰表示，三星电子正在引领韩国和美国5G网络商用化，已为国内外核心客户供给超3.6万个5G基站。三星电子作为5G先驱企业，将持续革新5G技术。