2018全球半导体设备投资首次突破1000亿美元 三星占两成行业领先

发稿时间 2018-11-30 16:26
글로벌 반도체 시설투자 1천억弗 돌파…삼성 21% 비중 '넘사벽'

【图片提供 韩联社】


今年全球半导体设备投资有望首次突破1000亿美元(约合112万亿韩元),三星电子和SK海力士分列1、3位,韩国半导体企业投资规模大。

据全球市场调研机构IC Insights30日消息,今年全球半导体业界设备投资规模达1071.4亿美元,刷新去年记录(934.77亿美元),同比增长15%,

三星电子今年设备投资达226.2亿美元,占全球半导体行业设备投资的21.1%,同比减少7%,去年为242.32亿美元,连续两年位列业界第一,远超竞争对手英特尔。

英特尔今年设备投资额为155亿美元,同比增长32%,位列第二。SK海力士(128亿美元)、台湾TSMC(102.5亿美元)、美国微软(99.6亿美元)分列3-5位。其中SK海力士设备投资规模同比增长58%,超越TSMC,上升至第三位。

IC Insights指出,三星电子连续两年进行大规模投资,预计会对市场造成长期影响。3D闪存市场由于各企业不断加大设备投资,目前设备已处于供大于求的局面。

IC Insights分析称,半导体存储器市场涨势放缓,预计明年各制造商将会调整设备投资速度。三星电子明年将会减少设备投资,预计将会同比减少20%,投资180亿美元。因特尔和SK海力士将会分别减少13%和12%,明年业界整体设备投资金额将会重新跌落至1000亿美元以下,约为945.9亿美元。

业界有关人士表示,三星电子和SK海力士进行大规模投资会带来一定副作用,容易导致市场供大于求。但是这有助于拉大与中国企业差距,保持其在业界优势地位。

《 亚洲日报 》 所有作品受版权保护,未经授权,禁止转载。

相关新闻
기사 이미지 확대 보기
닫기
TOP