[图片=韩联社]
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SK海力士与美国印第安纳州达成先进后端工艺领域投资合作
据SK海力士4日消息，其计划投资38.7亿美元在美国印第安纳州建设新一代高带宽存储器（HBM）生产工厂，并计划2028年下半年投入量产。此外，SK海力士还计划与美国普渡大学等当地研究机构进行半导体研发合作。 当地时间3日，SK海力士与印第安纳州、普渡大学、美国政府相…
战胜逆境 SK海力士2023年四季度扭亏为盈
在全球存储芯片行业呈现反弹趋势的情况下，SK海力士成功实现单季扭亏为盈。主力产品第五代双倍数据速率（DDR5）和高带宽存储器（HBM）等高性能产品的销售额增长，使公司摆脱自2022年第四季度以来持续一年的亏损局面。 韩国半导体巨头SK海力士25日发布业绩报告初步核…
《华尔街日报》：SK海力士拟投资40亿美元在印第安纳州建厂
据《华尔街日报》当地时间26日援引知情人士消息报道，SK海力士计划投资40亿美元，在美国印第安纳州的西拉斐特建造一座尖端芯片封装厂，预计于2028年正式投入运转。SK海力士即将在董事会上批准这一投资计划。 消息人士透露，这座工厂将为当地创造800到1000个工作岗…
SK海力士首度亮相CFMS主题演讲 计划升级在华NAND生产工艺
SK海力士计划下月在中国深圳举行的NAND闪存论坛上首次发表主题演讲。中美贸易矛盾长期化，去年SK海力士获美国商务部“经验证最终用户（VEU）”指定，当地生产据点得到保障后决定致力于扩大在中国存储芯片市场的影响力。尤其是与DRAM相比，NAND风险在较大程度上已经得到缓…
