三星成功开发世界首个第三代10纳米等级8Gb DDR4 DRAM

据三星电子21日消息，三星电子成功开发世界首个第三代10纳米等级(1z)8Gb DDR4 DRAM，将于下半年投入量产。

继2017年11月第二代10纳米等级(1z)DRAM投入量产后，三星时隔16个月就成功开发第三代产品，不仅成功拉开与竞争对手的距离，也再次确立业界领军者的地位。

第三代10纳米等级(1z)8Gb DDR4 DRAM在不使用极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography，常称作EUV光刻）的情况下，依然可以比第二代10纳米等级DRAM提高20%的生产性。同时，产能的提高也使得用电效率得到改善。

三星电子强调，第三代10纳米等级(1z)DRAM为基础的PC用DDR4模块，在全球CPU企业的所有评价项目上都得到了批准，从而全面扩大全球IT顾客的需求。三星电子还表示计划在今年下半年正式批量生产该产品，并在明年正式供应同时提高性能和容量的DDR5、LPDDR5等新一代DRAM。

三星电子相关人士称，第三代10纳米等级(1z)DRAM的开发将微细加工技术极限提升到新境界，与全球主要客户从系统开发阶段开始积极合作，以新一代生产线快速进入市场转换。按照客户要求，三星电子在京畿道平泽扩大DRAM最新生产线和生产比重。为应对明年市场对新一代优质DRAM的需求扩大，三星正积极构建稳定的量产生产线体系。