三星电子西安NAND闪存工厂扩建工程月底动工

据半导体业界13日消息，三星电子西安NAND闪存生产线扩建项目将于月底正式动工。三星电子DS部门负责人金奇南与中国地方政府相关人士将出席动工仪式。

为应对中长期需求增加，三星电子决定扩建西安NAND闪存生产线，为此三星电子计划在今后3年投资70亿美元。

与此同时，三星电子也在加强国内设备投资。上月23日，三星电子在华城半导体工厂内举行了极紫外光（EUV）生产线动工仪式。

上月7日，三星电子还对有关在平泽半导体园区建设第2生产线的预备投资案进行表决。