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据韩国三星电子28日消息，公司计划未来3年向位于中国西安的半导体工厂投资70亿美元。当天，由负责DS部门的副会长权五铉、IM部门副会长申宗均和CE部门副会长尹富根主导的经营委员会决定率先出资23亿美元，在三星电子西安工厂增设3D NAND闪存生产线。
西安工厂于2014年竣工投产。三星电子欲通过本次投资，在保证规模经济（Economies of scale）的基础上增设生产线，应对中国市场激增的半导体需求。
业界分析认为，三星电子增加中国工厂投资，意在改变NAND闪存市场版图。市场调查机构IHS Markit发布的数据显示，今年第2季度的全球存储器市场中，三星电子D-RAM和NAND闪存分别以45.1%和38.3%的市场份额位居榜首。
D-RAM市场已近饱和状态，在此情况下三星电子的市场份额仍近五成并保持稳定发展引发业界瞩目。而在NAND闪存方面，三星电子虽暂时领先，但随着持有原创技术的日本东芝出售半导体部门，参与收购大战的美国西部数据成最强竞争对手。
在本次收购东芝半导体部门的竞标企业中，韩国SK海力士虽参与其中，但业界纷纷预测西部数据将成最大赢家，若成功将东芝半导体收入囊中，NAND闪存市场份额将增至32%，与三星电子差距将进一步缩小。
对此，三星电子方面表示：“随着全球半导体需求，尤其是中国市场需求大增，因此公司加大了西安工厂的投资力度。新工厂将于年内动工，力争2019年竣工投产。”
